[發明專利]倒裝芯片凸點的制備方法

在審

• 申請號: 201110421872.1
• 申請日: 2011-12-15
• 公開（公告）號: CN103165480A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 劉葳;金鵬
• 申請（專利權）人: 北京大學深圳研究生院
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種倒裝芯片凸點的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、將納米銀顆粒漿料制備在芯片電極金屬層表面；

S2、無氧氣氛下，對步驟S2進行低溫回流處理，獲得帶納米凸點的芯片；

S3、并通過焊接技術，將芯片通過凸點倒裝在基板上，完成倒裝芯片封裝。

2.根據權利要求1所述的倒裝芯片凸點的制備方法，其特征在于，步驟S1中，納米銀顆粒漿料中，銀顆粒的粒徑為幾十納米～幾百納米。

3.根據權利要求1所述的倒裝芯片凸點的制備方法，其特征在于，步驟S1中，所述納米銀顆粒漿料是通過點膠機將納米銀顆粒制備在電極表面UBM金屬層表面的。

4.據權利要求1所述的倒裝芯片凸點的制備方法，其特征在于，步驟S1中，所述納米銀顆粒漿料是通過印刷方式將納米銀顆粒制備在電極表面UBM金屬層表面的。

5.根據權利要求1至4任一所述的倒裝芯片凸點的制備方法，其特征在于，步驟S1中，所述金屬層為銀鍍層。

6.根據權利要求1所述的倒裝芯片凸點的制備方法，其特征在于，步驟S2中，采用點膠的方式可以使所述凸點間距為納米數量級，可以實現高密度互連凸點的制作。

7.根據權利要求1所述的倒裝芯片凸點的制備方法，其特征在于，步驟S3中，低溫回流處理時，回流溫度為100～150℃，回流保溫時間為2～60秒。

8.據權利要求1所述的倒裝芯片凸點的制備方法，其特征在于，步驟S4中，所述焊接技術包括超聲焊接或銀膠點膠焊接。

9.據權利要求1所述的倒裝芯片凸點的制備方法，其特征在于，步驟S3中，所述基板為PCB板、鋁基板或陶瓷基板。