[發明專利]化合物半導體器件及其制造方法有效
| 申請號： | 201110342604.0 | 申請日： | 2011-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN102487080A | 公開（公告）日： | 2012-06-06 |
| 發明（設計）人： | 今西健治;吉川俊英 | 申請（專利權）人： | 富士通株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 章侃銥;張浴月 |
| 地址： | 日本國神奈*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 化合物 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種化合物半導體器件，包括：
襯底；
第一AlGaN層，形成在所述襯底的上方；
第二AlGaN層，形成在所述第一AlGaN層的上方；
電子渡越層，形成在所述第二AlGaN層的上方；以及
電子供應層，形成在所述電子渡越層的上方，其中，
當所述第一AlGaN層的構成由Alx1Ga1-x1N表示，所述第二AlGaN層的構成由Alx2Ga1-x2N表示時，“0≤x1＜x2≤1”的關系成立，并且
存在于所述第二AlGaN層的上表面處的負電荷多于存在于所述第二AlGaN層的下表面處的正電荷。
2.根據權利要求1所述的化合物半導體器件，其中，所述第二AlGaN層的下表面比所述第二AlGaN層的上表面更為粗糙。
3.根據權利要求1所述的化合物半導體器件，其中，所述x2的值與所述第二AlGaN層的厚度t(nm)的乘積值“x2×t”為0.5至30。
4.根據權利要求1所述的化合物半導體器件，其中，所述第一AlGaN層包含減少載流子濃度的雜質。
5.根據權利要求1所述的化合物半導體器件，其中，所述電子渡越層的厚度為10nm至100nm。
6.根據權利要求1所述的化合物半導體器件，還包括：
凹陷，形成在所述電子供應層處；
絕緣膜，形成在所述凹陷中；以及
柵極，形成在所述凹陷中的所述絕緣膜上。
7.一種電源裝置，包括：
化合物半導體器件，
其中，所述化合物半導體器件包括：
襯底；
第一AlGaN層，形成在所述襯底的上方；
第二AlGaN層，形成在所述第一AlGaN層的上方；
電子渡越層，形成在所述第二AlGaN層的上方；以及
電子供應層，形成在所述電子渡越層的上方，
其中，當所述第一AlGaN層的構成由Alx1Ga1-x1N表示，所述第二AlGaN層的構成由Alx2Ga1-x2N表示時，“0≤x1＜x2≤1”的關系成立，并且
存在于所述第二AlGaN層的上表面處的負電荷多于存在于所述第二AlGaN層的下表面處的正電荷。
8.一種高功率放大器，包括：
化合物半導體器件，
其中，所述化合物半導體器件包括：
襯底；
第一AlGaN層，形成在所述襯底的上方；
第二AlGaN層，形成在所述第一AlGaN層的上方；
電子渡越層，形成在所述第二AlGaN層的上方；以及
電子供應層，形成在所述電子渡越層的上方，
其中，當所述第一AlGaN層的構成由Alx1Ga1-x1N表示，所述第二AlGaN層的構成由Alx2Ga1-x2N表示時，“0≤x1＜x2≤1”的關系成立，并且
存在于所述第二AlGaN層的上表面處的負電荷多于存在于所述第二AlGaN層的下表面處的正電荷。
9.一種化合物半導體器件的制造方法，包括：
在襯底的上方形成第一AlGaN層；
在所述第一AlGaN層的上方形成第二AlGaN層；
在所述第二AlGaN層的上方形成電子渡越層；以及
在所述電子渡越層的上方形成電子供應層，其中
當所述第一AlGaN層的構成由Alx1Ga1-x1N表示，所述第二AlGaN層的構成由Alx2Ga1-x2N表示時，“0≤x1＜x2≤1”的關系成立，并且
存在于所述第二AlGaN層的上表面處的負電荷多于存在于所述第二AlGaN層的下表面處的正電荷。
10.根據權利要求9所述的化合物半導體器件的制造方法，其中，所述第二AlGaN層的下表面比所述第二AlGaN層的上表面更為粗糙。
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