[發明專利]集成電路處理方法和設備在審
| 申請號： | 201880056880.0 | 申請日： | 2018-08-16 |
| 公開（公告）號： | CN111066136A | 公開（公告）日： | 2020-04-24 |
| 發明（設計）人： | 理查德·普賴斯;史蒂芬·德文波特;布萊恩·哈迪·科布 | 申請（專利權）人： | 務實印刷有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 王小衡;胡彬 |
| 地址： | 英國塞*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 集成電路 處理 方法 設備 | ||
1.一種在特定位置處選擇性地改變柔性基板與載體之間的粘合強度以便于運輸和隨后的轉移的方法，其中，所述柔性基板包括多個電子組件(集成電路(IC))，每個電子組件包括相應組端子，所述隨后的轉移包括將包括多個電子組件的所述柔性基板直接從所述載體轉移到包括相應組接觸墊(接觸部)的相應第一部分上，所述方法包括以下步驟：
提供包括多個集成電路的柔性基板；
提供用于所述柔性基板的載體，并且通過在所述柔性基板與所述載體之間創建界面將所述柔性基板粘附到所述載體；
通過利用電磁輻射源(例如，激光、閃光燈、大功率LED、紅外線輻射源、紫外線輻射源等)對所述柔性基板與所述載體之間的界面進行非均勻處理，在一個或多個選定位置處改變所述柔性基板與所述載體之間的粘合力，從而在所述一個或多個選定位置處減小或增加所述柔性基板的一部分與所述載體之間的粘合力。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述載體是剛性的。
3.根據權利要求1或權利要求2所述的方法，其中，所述載體是玻璃、聚碳酸酯或石英。
4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述載體是柔性的。
5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述載體是柔性剝離帶。
6.根據權利要求1至5中的任一項所述的方法，其中，所述非均勻處理在所述一個或多個選定位置處降低所述柔性基板與所述載體之間的粘合力。
7.根據權利要求1至5中的任一項所述的方法，其中，所述非均勻處理在所述一個或多個選定位置處增加所述柔性基板與所述載體之間的粘合力。
8.根據權利要求1至7中的任一項所述的方法，其中，所述非均勻處理在所述一個或多個選定位置處降低所述柔性基板與所述載體之間的粘合力，并且在其余區域(即，構成除了所述一個或多個選定位置之外的區域的未被處理的區域)中，所述柔性基板與所述載體之間的粘合力足夠在存儲和處理期間保持所述基板與所述載體之間的接觸，并且允許在IC轉移過程期間直接從所述載體移除所述柔性基板。
9.根據權利要求1至7中的任一項所述的方法，其中，所述非均勻處理在所述一個或多個選定位置處增加所述柔性基板與所述載體之間的粘合力，并且在所述一個或多個選定位置處所述柔性基板與所述載體之間的粘合力足夠在存儲和處理期間保持所述基板與所述載體之間的接觸，并且允許在IC轉移過程期間從所述載體移除所述柔性基板。
10.根據權利要求9所述的方法，其中，在對所述柔性基板與所述載體之間的所述界面進行非均勻處理以在所述一個或多個選定位置處增加所述柔性基板與所述載體之間的粘合力的步驟之后，所述方法還包括隨后的步驟：利用電磁輻射源(例如，激光、閃光燈、大功率LED、紫外線輻射源等)對所述柔性基板與所述載體之間的所述界面進行均勻處理，從而在除了所述一個或多個選定位置之外的所有其余區域中，減小所述柔性基板與所述載體之間的粘合力。
11.根據權利要求1至10中的任一項所述的方法，其中，所述非均勻處理在所述柔性基板的包括IC的至少一個部分中增加所述柔性基板與所述載體之間的粘合力，并且在所述柔性基板的包括相同IC的至少一個另一部分中降低所述柔性基板與所述載體之間的粘合力。
12.根據權利要求1至10中的任一項所述的方法，其中，利用電磁輻射源(例如，激光、閃光燈、大功率LED、紅外線輻射源、紫外線輻射源等)對所述柔性基板與所述載體之間的所述界面進行的所述非均勻處理在所述柔性基板的均包括IC的多個部分中增加所述柔性基板與所述載體之間的粘合，并且在所述柔性基板的均包括相同的IC的相同多個部分中的至少一個另一部分中降低所述柔性基板與所述載體之間的粘合。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
