[其他]電沉積金-碳化硅復合鍍層在審
| 申請號： | 101985000000021 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN1004528B | 公開（公告）日： | 1989-06-14 |
| 發明（設計）人： | 郭鶴桐;王兆勇;邱訓高 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 天津大學專利代理事務所 | 代理人： | 張宏祥;曲遠方 |
| 地址： | 天津市南*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一種用于繼電器觸點的抗電浸蝕的耐磨復合鍍層，是用電鍍方法沉積在銅合金或其他金屬基體上、復合鍍層中彌散有占鍍層體積０．１～１０％，粒徑小于０．５微米的ＳｉＣ微粒。這種金基復合鍍層具有比純金高的顯微硬度，低的摩擦系數，接觸電阻略大于金，但低于金． 本發明提供一種具有非矩陣型遮光結構的平面顯示器。非矩陣型遮光結構包括主遮光結構和輔助遮光結構，其中主遮光結構具有間隙和對應于像素區的主空間，而輔助遮光結構對應于主遮光結構的間隙。每一間隙對應于掃描線或信號線。每一主空間與至少一間隙合金，并且耐電浸蝕性、抗腐蝕及抗變色能力強，這種Ａｕ－ＳｉＣ復合鍍層可在含有ＳｉＣ微粒的、氰化物的、酸性的及亞硫酸鹽的鍍金溶液中獲得。連接，而每一間隙連接兩相鄰的主空間。＜＾＾＞ | ||
| 搜索關鍵詞： | 沉積 碳化硅 復合 鍍層 | ||
【主權項】：
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