[其他]平面磁控濺射靶及其鍍膜方法在審
| 申請號： | 101985000000096 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85100096B | 公開（公告）日： | 1988-12-07 |
| 發明（設計）人： | 范玉殿 | 申請（專利權）人： | 清華大學;北京儀器廠 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 清華大學專利事務所 | 代理人： | 張善余 |
| 地址： | 北京市海*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種平面磁控濺射靶裝置，至少包含有兩個電磁鐵，靶板由多塊異種材料拼砌而成。通過調節各個電磁鐵的勵磁電流的相對比值，使靶板內表面跑道磁場的各個區段的磁場強度的相對比值發生變化，從而實現所鍍制的合金膜成份在一定范圍內的連續調節。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 平面 磁控濺射 及其 鍍膜 方法 | ||
【主權項】：
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