[其他]微型箔式電阻應變計的制造方法在審
| 申請號： | 101985000000133 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85100133B | 公開（公告）日： | 1988-03-23 |
| 發明（設計）人： | 馮仁賢;揚風河;陸符聰 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 清華大學專利事務所 | 代理人： | 張秀珍 |
| 地址： | 北京市海*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： |
“微型箔式電陽應變計的制造方法”，屬于計量、測試元件制造技術。本方法采用正性光刻膠光刻敏感柵，曝光光源為球形汞燈，采用０．８～１２％氫氧化鉀溶液作顯影液，用離心法制基底膜，用濃度為５５°～００°（波美）三氯化鐵腐蝕液，一次腐蝕成型。采用此制造方法，能夠制造絲柵寬度小于１０微米的康銅敏感柵，基底面積為２ｍｍ |
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| 搜索關鍵詞： | 微型 電阻 應變 制造 方法 | ||
【主權項】：
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