[其他]一種間接耦合的硅光敏器件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 101985000000228 | 申請(qǐng)日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN85100228B | 公開（公告）日： | 1987-07-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 何民才 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 武漢大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | 分類號(hào)： | ||
| 代理公司： | 武漢大學(xué)專利事務(wù)所 | 代理人： | 龔茂銘 |
| 地址： | 湖北省武漢*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發(fā)明公開了一種新結(jié)構(gòu)的硅光敏器件。它與普通硅光敏器件不同，不是把輸出光電流的二極管、三極管或達(dá)林頓結(jié)構(gòu)晶體管直接做在接受入射光的ＰＮ結(jié)（簡稱受光ＰＮ結(jié)）上，而是把它們做在這個(gè)結(jié)的鄰側(cè)，抽取受光ＰＮ結(jié)的注入電流輸出或放大后輸出，由此組成一個(gè)光敏器件。這種結(jié)構(gòu)能夠避免受光ＰＮ結(jié)面積大造成硅光敏器件電特性差和成品率低等缺點(diǎn)，也為制造暗電流小、擊穿電壓好的新型硅光敏器件開辟了一條道路。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 間接 耦合 光敏 器件 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
暫無信息
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