[其他]臺面型半導體器件的制造方法在審
| 申請號： | 101985000000501 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN1003830B | 公開（公告）日： | 1989-04-05 |
| 發明（設計）人： | 何德湛;陳益清;胡順帆;何啟丁;嚴光華;徐元森;朱菊珍;朱菊珍 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海冶金研究所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 季良赳 |
| 地址： | 上海市長寧*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本發明是臺面形半導體器件的制造方法。采用金剛砂輪刀在已形成半導體器件圖形的基片上的管芯二邊開槽形成井字形的臺面。所開的槽與ｐ－ｎ結界面接近垂直。用這種臺面制造方法特別適用于制造高壓大功率晶體管，可提高制得器件的擊穿電壓，減少二次擊穿，燒結時又不易引起焊料造成的短路，提高了器件的成品率。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 臺面 半導體器件 制造 方法 | ||
【主權項】：
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