[其他]制備高純度ⅡB 在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 101985000001849 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85101849B | 公開（公告）日： | 1986-12-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 黃錫珉 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學院長春物理研究所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 中國遼寧省*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發(fā)明提供了制備高純度ⅡＢ－ⅥＡ族化合物，主要是制備ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ的新方法，上述化合物是制備發(fā)光材料和電光器件的重在原料。本發(fā)明采用“套管冷卻式”容器的高頻反應加熱法，改變了迄今為止盛裝反應物的容器和反應物加熱體的形狀。在加熱反應過程中可以用水或冷空氣對盛料的石英安瓿進行冷卻，避免容器對合成的化合物的沾污，反應產(chǎn)物松散地落在容器壁上，容易取出產(chǎn)物，進行分段局部加熱，安瓶內(nèi)部壓力低，可防止由于高壓使安瓿易爆炸的問題，還大大縮短了加熱時間，提高了反應產(chǎn)率，達到快速安全地制備高純度材料。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 制備 純度 base sub | ||
【主權(quán)項】：
暫無信息
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