[其他]一種摻金硅熱敏電阻器及其制造方法在審
| 申請號： | 101985000002901 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85102901B | 公開（公告）日： | 1988-03-02 |
| 發明（設計）人： | 陶國強;陶明德 | 申請（專利權）人： | 中國科學院新疆物理研究所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國科學院新疆專利事務所 | 代理人： | 王蔚 |
| 地址： | 新疆維吾爾族自治*** | 國省代碼： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本發明屬于半導體溫度傳感器領域。本發明采用氯化金涂層擴散，當金和本底凈雜質濃度之比為１～１．５時，形成穩定性好，Ｂ值為４０００Ｋ～６０００Ｋ，其均勻度優于０．１％的摻金硅熱敏材料，利用該材料的雙面高阻層做成串聯式熱敏電阻，經機械調值后，元件在－３０～＋５０℃溫區阻值互換精度為０．２％。高溫（８５℃）存放一年的穩定性優于０．３％。本發明可廣泛地應用于工業、農業，尤其是醫學、生物工程、化學等多方面的溫度測量與控制。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 一種 摻金硅 熱敏 電阻器 及其 制造 方法 | ||
【主權項】：
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