[其他]在材料(例如半導體材料)中加工亞微型槽的方法以及用這種方法制成的器件在審
| 申請號： | 101985000003535 | 申請日： | 1985-05-06 |
| 公開（公告）號： | CN85103535B | 公開（公告）日： | 1988-08-10 |
| 發明（設計）人： | 阿佩爾斯;馬斯 | 申請（專利權）人： | 菲利浦光燈制造公司 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 林長安 |
| 地址： | 荷蘭艾*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 在階梯形材料層上覆蓋第一材料層，該層也有階梯不平的凹槽，并在它上面生成第二掩模層和轉化層，對轉化層進行轉化而成為可選擇的腐蝕層，在除下未轉化的部分之后，在第二掩模層中沿凹槽邊沿形成帶開口的中間掩模層。用中間掩模對第一材料層進行各向異性腐蝕處理生成溝槽。根據情況在下一層襯底區中也生成溝槽。為了形成絕緣區用氧化硅填在這些槽里。如果在硅的襯底區的上面用的是多晶硅第一材料層，則該層可分別作為摻雜質的源以及供連接用，于是可以制造各種類型的晶體管。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 材料 例如 半導體材料 加工 微型 方法 以及 這種方法 制成 器件 | ||
【主權項】：
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