[其他]浸漬陰極在審
| 申請號： | 101985000004881 | 申請日： | 1985-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN85104881B | 公開（公告）日： | 1988-12-21 |
| 發明（設計）人： | 山本惠彥;田口貞憲;會田敏之 | 申請（專利權）人： | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 郁玉成 |
| 地址： | 日本國東京都千*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 在耐熱多孔質基體內浸入電子發射材料的浸漬陰極，在此多孔質基體的電子發射面上敷以薄層，此薄層由高熔點金屬和Ｓｃ（或Ｓｃ的氧化物）或者由高熔點金屬與Ｓｃ及Ｓｃ的氧化物共同組成，該種浸漬陰極的特點就在于此。由于預先在基體內浸入電子發射材料，再加上形成了含Ｓｃ或Ｓｃ的氧化物的薄層，所以，由Ｂａ、Ｓｃ和Ｏ組成的單原子層在電子發射面上就得以長壽命地存在下來。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 浸漬 陰極 | ||
【主權項】：
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