[其他]化合物半導體平面結型器件歐姆接觸的制備方法在審
| 申請號： | 101985000005699 | 申請日： | 1985-07-19 |
| 公開（公告）號： | CN85105699B | 公開（公告）日： | 1987-02-25 |
| 發明（設計）人： | 吳丁芬;程宗權 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海冶金研究所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 季良赳 |
| 地址： | 上海長寧*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發明是化合物半導體平面結型器件歐姆接觸的制備方法。它使用同樣的接觸合金ＡｕＧｅ，可同時在平面器件的ｐ區和ｎ區得到滿意的歐姆接觸。使用本發明可減少蒸發光刻及熱處理次數，簡化工藝，提高成品率。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 化合物 半導體 平面 器件 歐姆 接觸 制備 方法 | ||
【主權項】：
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