[其他]門電路斷開可控硅在審
| 申請號： | 101985000005982 | 申請日： | 1985-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN85105982B | 公開（公告）日： | 1988-03-30 |
| 發明（設計）人： | 櫻田修六;池田裕彥 | 申請（專利權）人： | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本國東京都千*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 所提供的門電路斷開可控硅具有一塊半導體襯底、一個陽極和一個控制極。半導體襯底包含有，連接陽極的Ｐ發射層、鄰接于Ｐ發射層的Ｎ基區層、鄰接于Ｎ基區層且連接控制極的Ｐ基區層和鄰接于Ｐ基區層且連接陰極的Ｎ發射層。為了改善其電流截止性能，半導體襯底還包括在Ｐ發射層和Ｎ基區層之間設置的Ｐ型層，并且有低于Ｎ基區層的雜質濃度。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 門電路 斷開 可控硅 | ||
【主權項】：
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