[其他]半導體集成電路在審
| 申請號： | 101986000000522 | 申請日： | 1986-03-07 |
| 公開（公告）號： | CN1003149B | 公開（公告）日： | 1989-01-25 |
| 發明（設計）人： | 西井雅晴;栗原一夫 | 申請（專利權）人： | 三洋電機株式會社;東京三洋電機株式會社 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 馬連富;許新根 |
| 地址： | 日本大阪*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 島區１６上所形成的雙極晶體管的ｈＦＥ值由發射極區２０和第１基極區１８的雜質濃度與基極寬度Ｂ所決定。因此用同一制造工藝擴散第１基極區１８及發射極區２０時，各晶體管的ｈＦＥ值大致相等。本發明為調整晶體管的ｈＦＥ值設置了第２基極區２３。部分第２基極區２３與發射極區２０相重疊并做得比第１基極區１８要深。這樣，通過第２基極區２３使基極寬度Ｂ′增大，可使ｈＦＥ值變小。同時通過選擇發射極區２０與第２基極區２３的重疊量使ｈＦＥ的值進行變化。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 集成電路 | ||
【主權項】：
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