[其他]一種非接觸式微波測量半導體材料少子壽命的裝置在審
| 申請號： | 101986000001518 | 申請日： | 1986-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN1003094B | 公開（公告）日： | 1989-01-18 |
| 發明（設計）人： | 王宗欣 | 申請（專利權）人： | 復旦大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 上海高校專利事務所 | 代理人： | 王福新;樓濤 |
| 地址： | 上海市邯鄲*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本發明提供了一種用介質波導加紅外光源非接觸測試半導體材料少子壽命及電阻率的裝置。該裝置的測試結果與常規的有接觸方法一致、操作簡便，能夠測量不同厚度片狀樣品的少子壽命以及同一樣品上不同部位少于壽命的差異。由于是非接觸測試，對于拋光片、離子注入片以及經過各種化學處理的半導體薄片尤為適宜，能夠做到無損傷、無沾污。在集成電路、半導體器件的生產過程中可用作材料檢驗和工藝監控的重要手段。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 一種 接觸 式微 測量 半導體材料 少子 壽命 裝置 | ||
【主權項】：
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