[其他]控制培養的方法及其設備在審
| 申請號： | 101986000001928 | 申請日： | 1986-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN86101928B | 公開（公告）日： | 1987-12-09 |
| 發明（設計）人： | 清水范夫;福真一;西村信子;緒田原蓉二;住谷知明 | 申請（專利權）人： | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 顧柏棣;辛敏忠 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種在好氧條件下對細胞進行控制培養以生產代謝物的方法，其特征在于向培養基中加入底物和（或）誘導物，用細胞的二氧化碳釋放量為基礎的第參數和細胞耗氧量為基礎的第二參數之比率的變化為指導，判定細胞生長和（或）代謝物生產的終點或終止培養。其中的比率例如是呼吸商。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 控制 培養 方法 及其 設備 | ||
【主權項】：
暫無信息
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社日立制作所，未經株式會社日立制作所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://m.szxzyx.cn/patent/101986000001928/，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：氣體絕緣開關裝置
- 下一篇：電阻—氧化物—半導體場效應晶體管
- 同類專利
- 專利分類
