[其他]電阻—氧化物—半導體場效應晶體管在審
| 申請號： | 101986000001937 | 申請日： | 1986-03-22 |
| 公開（公告）號： | CN86101937B | 公開（公告）日： | 1988-05-18 |
| 發明（設計）人： | 葉安祚;楊長根 | 申請（專利權）人： | 江西大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 江西省專利服務中心 | 代理人： | 郭毅力;喻尚威 |
| 地址： | 江西省*** | 國省代碼： | 江西;36 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種絕緣柵型場效應晶體管，其柵極由電阻材料構成。在電阻柵極垂直于源漏聯線方向的端線的兩端制作了兩個歐姆接觸電極作為雙柵端，其結構和功能上是等效的。本器件具有不截止、遙截止或銳截止轉移特性，可根據需要獲得所需的截止電壓值和跨導值，兩個柵端可同時作為控制柵和信號柵使用。本器件的應用擴大了場效應管的應用范圍，可使電路得到簡化，能有效地解決大信號堵塞、自動增益控制動態范圍窄等問題。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 電阻 氧化物 半導體 場效應 晶體管 | ||
【主權項】：
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