[其他]半導體汽化冷卻裝置在審
| 申請號： | 101986000002472 | 申請日： | 1986-04-09 |
| 公開（公告）號： | CN1003026B | 公開（公告）日： | 1989-01-04 |
| 發明（設計）人： | 板鼻搏;簿井義典 | 申請（專利權）人： | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 上海專利事務所 | 代理人： | 楊國勝 |
| 地址： | 日本東京都千*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 半導體堆由層疊和緊固在一起的ＧＴＯ可控硅，冷卻件和接線導體構成。半導體堆配置在冷卻器內，并充以氟利昂液。冷凝器配置在冷卻器上面，通過連通管與冷卻器連接構成冷卻裝置。每個冷卻件在ＧＴＯ可控硅和接線導體之間配置并有許多小孔，氟利昂液在小孔內裱可控硅產生的熱所沸騰變成氟利昂蒸汽趨向接線導體。每個接線導體在它與冷卻器接觸的表面上有許多縱向縫隙。氟利昂蒸汽沿縫隙向上流動以提高致冷劑冷卻循環效率。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 汽化 冷卻 裝置 | ||
【主權項】：
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