[其他]一種含硼銅基厚膜導(dǎo)體在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 101987000001846 | 申請日： | 1987-03-07 |
| 公開（公告）號： | CN87101846B | 公開（公告）日： | 1988-06-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 譚富彬;趙玲 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國有色金屬工業(yè)總公司昆明貴金屬研究所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 云南省專利事務(wù)所 | 代理人： | 何通培 |
| 地址： | 云南省昆明*** | 國省代碼： | 云南;53 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： |
一種含硼銅基厚膜導(dǎo)體，包括使優(yōu)先氧化材料Ｂ、Ａｌ、Ｚｎ同Ｃｕ合金化，使所得合金與Ｓｉ、Ａｉ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｏ、Ｐｂ、Ｚｎ的氧化物混合，加入有機(jī)載體以形成漿料，將漿料漏印到陶瓷基片上，并在５６０～８５０℃溫度范圍內(nèi)和大氣中燒成。所制得的厚膜導(dǎo)體具有良好的導(dǎo)電性、抗?jié)裥院洼^低成本，最佳電阻率≤１．２５×１０ |
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| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 含硼銅基厚膜 導(dǎo)體 | ||
【主權(quán)項】：
暫無信息
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