[其他]臺面半導體器件玻璃鈍化工藝無效
| 申請號： | 85100410 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85100410B | 公開（公告）日： | 1987-08-19 |
| 發明（設計）人： | 薛成山;趙富賢;田淑芬;劉瑞蘭;莊惠照 | 申請（專利權）人： | 山東師范大學 |
| 主分類號： | H01L21/316 | 分類號： | H01L21/316;H01L21/318 |
| 代理公司： | 山東省高等院校專利事務所 | 代理人： | 李榮升 |
| 地址： | 山東省濟南*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種臺面半導體器件玻璃鈍化工藝，屬于臺面半導體器件生產工藝的一部分。該工藝利用加硝酸鋁為電解質的電泳法在臺階狀PN結臺面溝槽內涂敷玻璃粉和在通入純氧的燒結爐中熔燒玻璃粉的方法，做出的玻璃鈍化層表面光潔，內里無氣泡，厚度均勻可控，從而提高了該類半導體器件的可靠性、穩定性和耐壓強度等電氣性能。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 臺面 半導體器件 玻璃 鈍化 工藝 | ||
【主權項】：
1、一種臺面半導體器件玻璃鈍化工藝過程，其中包括：形成臺階狀PN結臺面溝槽，利用電泳法在PN結臺面溝槽內涂敷玻璃粉和在燒結爐內熔燒玻璃形成玻璃鈍化層，其特征在于所說的電泳法涂敷玻璃粉時電泳液內加克分子濃度為1×10-2～5×10-8的硝酸鋁電解質，所說的熔燒玻璃時燒結爐內通入高純度氧氣。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
