[其他]非晶硅攝像靶及制造方法無效
| 申請號： | 85100514 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85100514A | 公開（公告）日： | 1986-08-13 |
| 發明（設計）人： | 吳宗炎;沈月華 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | H01J31/26 | 分類號： | H01J31/26;H01J9/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 上海市長寧*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本發明屬電真空器件領域。非晶硅攝像靶是新型攝像管。本發明采用氣載摻雜劑P，BBr3或In、Ga方法摻雜非晶硅分別制備空穴阻擋層和光電導層，制成的攝像靶靈敏度高而工藝簡單。本發明不加電子阻擋層仍靶暗電流，惰性小攝像靶可以在高環境溫度下使用。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 非晶硅 攝像 制造 方法 | ||
【主權項】：
1、一種屬于電真空器件領域的非晶硅攝像靶，含有光電導層、空穴阻擋層，其特征在于省去電子阻擋層。
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