[其他]一種定向凝固生長太陽能電池用的多晶硅錠工藝無效
| 申請號: | 85100529 | 申請日: | 1985-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN85100529A | 公開(公告)日: | 1986-08-13 |
| 發明(設計)人: | 唐厚舜;佘夕同 | 申請(專利權)人: | 復旦大學 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 上海市邯鄲*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | 本發明屬于半導體材料硅晶體的制備。以高性能的石墨塊組合成模具,用去離子水等作調料,將經處理的氮化硅粉料調成糊狀,作脫模劑,用氬氣和氮氣為氣氛,熔化時模具懸掛,凝固時模具支撐在水冷卻的下轉軸上,在下降模具的同時增大冷卻水流速,使熔硅從模具底始定向凝固。使用本發明可得無氣孔、無裂縫的完整方錠,晶粒呈柱狀,晶寬達毫米級,摻雜可控,制作的太陽能電池性能良好,全面積轉換效率最佳值達11.3%。 | ||
| 搜索關鍵詞: | 一種 定向 凝固 生長 太陽能電池 多晶 工藝 | ||
【主權項】:
1、一種使用涂有脫模劑的石墨模具以定向凝固法生長用于太陽能電池的多晶硅錠的工藝,其特征在于采用涂有高純度的氮化硅脫模劑的組合式石墨模具,在多晶硅錠制作過程中除充入氬氣外還充入高純度的氮氣提高氮化硅的耐高溫性能,在下移組合式模具的同時以水冷卻方式調節多晶硅錠生長所需的熱場,得到無氣孔、無裂縫、高純度的完整的多晶硅錠。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





