[其他]一種雙層結構的低壓化學蒸汽淀積外延爐管裝置無效
| 申請號： | 85100531 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85100531A | 公開（公告）日： | 1986-08-20 |
| 發明（設計）人： | 王季陶;張世理 | 申請（專利權）人： | 復旦大學 |
| 主分類號： | H01L21/205 | 分類號： | H01L21/205;H01L21/365 |
| 代理公司： | 復旦大學專利事務所 | 代理人： | 莊杏鳳 |
| 地址： | 上海市邯鄲*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發明屬于電子工業中制備集成電路及其它半導體器件的薄膜工藝設備。在外延工藝中，由于石英管與硅或其它外延物質的熱膨脹系數不同，在高溫、低壓下容易造成外延石英爐管的損裂。本發明采用雙層結構爐管，即外管用耐高溫且密封性能良好的材料，內管用耐高溫且對半導體外延片的性能不產生嚴重影響的材料做成。可將LPCVD薄膜技術應用到外延中來，可以達到提高外延的生產效率，降低生產成本，改善外延層的厚度與摻雜均勻性。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 一種 雙層 結構 低壓 化學 蒸汽 外延 爐管 裝置 | ||
【主權項】：
1、電子工業中制備集成電路及其它半導體器件的薄膜工藝設備，一種用于低壓化學蒸氣淀積(LPCVD)外延的爐管裝置，其特征在于：上述爐管為由外層爐管[1]和內層襯管[2]組成的雙層結構。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
