[其他]一種耐高溫的溫梯法晶體生長裝置無效
| 申請號： | 85100534 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85100534B | 公開（公告）日： | 1988-08-03 |
| 發明（設計）人： | 周永宗 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海光學精密機械研究所 |
| 主分類號： | C30B35/00 | 分類號： | C30B35/00;C30B11/00;H05B3/42 |
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 張澤純 |
| 地址： | 上海市8*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本發明屬于溫梯法生長晶體裝置的改進，包括坩堝、發熱體和保溫屏蔽裝置。提供了一種錐形底中心有一籽晶槽尾部和圓錐筒壁的較理想的坩堝，發熱體為矩形波狀的板條式圓筒，其上半部有孔，下端與電極板相聯，發熱體上半部的溫差由不同孔數和孔徑來產生，下半部的溫差由電極板的熱傳導來提供，保溫屏蔽裝置設計合理。該晶體生長裝置熱場穩定，控制簡易，用于NdYAG晶體生長，已獲得大尺寸優質的晶體。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 一種 耐高溫 溫梯法 晶體生長 裝置 | ||
【主權項】：
1.一種耐高溫的溫梯法晶體生長裝置，含有坩堝1，發熱體11，保溫屏蔽裝置和坩堝支撐裝置，其特征在于所說的發熱體為一被上槽11-1和下槽11-2分割成矩形波狀的板條通電回路11-3的圓筒，該板條通電回路的上半部有一系列圓孔，和/或方孔，和/或三角形孔11-4，其孔數和/或孔徑的分布自上而下逐漸減少。
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