[其他]晶體管無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85105124 | 申請日： | 1985-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN85105124A | 公開（公告）日： | 1986-12-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 田中忠彥 | 申請（專利權(quán)）人： | 三洋電機株式會社;東京三洋電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/70 | 分類號： | H01L29/70 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 李先春 |
| 地址： | 日本大阪*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發(fā)明提供一種具有在網(wǎng)狀發(fā)射極區(qū)進行接觸的第1發(fā)射極電極及在島狀基極接觸區(qū)進行接觸的第1基極和設(shè)置在層間絕緣膜上面分別與上述的第1發(fā)射極電極和第1基極聯(lián)結(jié)的第2發(fā)射極電極和第2基極電極，上述第2發(fā)射極電極及上述第2基極電極形成梳齒狀，使上述第2發(fā)射極電極和上述第1發(fā)射極電極在每個梳齒上進行帶狀的接觸，通過大幅度地擴大接觸面積來抑制電流的集中，小芯片面積而有較強的耐破壞力的高電流容量的晶體管。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶體管 | ||
【主權(quán)項】：
1、一晶體管，其特征是：具有集電極區(qū)、基極區(qū)及發(fā)射極區(qū)，該發(fā)射極區(qū)以網(wǎng)狀狀態(tài)設(shè)于上述基極區(qū)表面，把上述基極區(qū)的接觸區(qū)以許多的島狀配置在上述發(fā)射極區(qū)內(nèi)，在上述發(fā)射區(qū)及上述基極區(qū)的接觸區(qū)里設(shè)置進行電阻接觸的由第1層組成的第1發(fā)射極電極和第1基極電極，在被復(fù)該第1發(fā)射極電極及第1基極電極的層間絕緣膜上面具有聯(lián)結(jié)上述第1基極電極的梳齒狀的第2基極電極和與上述第1發(fā)射極電極進行電阻接觸并伸延至焊接點的第2發(fā)射極電極的晶體管里，配置有設(shè)在上述第2基極電極的梳齒間，與上述第1發(fā)射極電極進行帶狀接觸的第2發(fā)射極電極。
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- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
