【主權(quán)項(xiàng)】：

1、在多級(jí)放大硅可控整流器中，包括半導(dǎo)體片、第一發(fā)射極電極、內(nèi)級(jí)和外級(jí)發(fā)射極電極和電流控制電阻區(qū)；上述半導(dǎo)體片包括一個(gè)第一發(fā)射極層，在上述的第一發(fā)射極層上面的第一基極層、在上述第一基極層上的第二基極層、在上述第二基極層上的內(nèi)級(jí)發(fā)射極層和在上述第二基極層上面的外級(jí)發(fā)射極層，同時(shí)它接近從上述內(nèi)級(jí)發(fā)射極層向外的方向上并處在該方向上。在上述第一發(fā)射極層下面的上述第一發(fā)射極電極；在第一部分中的上述內(nèi)級(jí)發(fā)射極電極，它重疊在上述內(nèi)級(jí)發(fā)射極層上，同時(shí)在第二部分中，處在上述第一部分向外的位置上，它重疊在上述第二基極層上；重疊在上述外級(jí)發(fā)射級(jí)層上的上述的外級(jí)發(fā)射極電極。上述電流控制電阻區(qū)，由它構(gòu)成上述第二基極區(qū)的一部分，第二基極區(qū)限定在由上述內(nèi)級(jí)發(fā)射極電極的外沿所定義的內(nèi)側(cè)，并向外延伸，但與上述外級(jí)發(fā)射極層隔開(kāi)。具有未調(diào)劑電阻的上述電流控制電阻區(qū)，選擇電阻值時(shí)，應(yīng)將放大硅可控整流器前面每級(jí)內(nèi)的接通電流限制到安全值上。上述多級(jí)放大硅可控整流器的改進(jìn)應(yīng)與上述技術(shù)結(jié)合，以在上述硅可控整流器接通期間，減小電流控制電阻區(qū)調(diào)制，包括：上述的內(nèi)級(jí)發(fā)射極電極的外沿從下述任一種邊沿向外延伸一個(gè)預(yù)先確定的距離：上述第一級(jí)發(fā)射極層的內(nèi)沿，在上述內(nèi)級(jí)發(fā)射極層下面的接通等離子區(qū)的外沿，上述第一級(jí)發(fā)射極層的外沿。該距離至少大于一個(gè)上述的半導(dǎo)體片的厚度和在上述第一基極層內(nèi)兩個(gè)雙極擴(kuò)散長(zhǎng)度之和。