[其他]高速硅光敏三極管無效
| 申請號: | 85105936 | 申請日: | 1985-08-08 |
| 公開(公告)號: | CN85105936B | 公開(公告)日: | 1987-11-25 |
| 發明(設計)人: | 何民才 | 申請(專利權)人: | 武漢大學 |
| 主分類號: | H01L31/10 | 分類號: | H01L31/10 |
| 代理公司: | 武漢大學專利事務所 | 代理人: | 陳暢生,龔茂銘 |
| 地址: | 湖北省武漢*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | 本發明是一種改進的硅光敏器件。它利用PN結對光生少數載流子的側向收集作用,把光敏管的集電結設計成網狀,使受光面包括了基區表面和網眼集電區表面兩部分。從而達到了既減小集電結面積又不減小受光面的目的。若把發射區設計成細條結構并選用適當電阻率、較薄層厚的硅外延片為襯底材料,則此硅光敏三極管的響應時間可降低到0.5微秒以下。 | ||
| 搜索關鍵詞: | 高速 光敏 三極管 | ||
【主權項】:
1、一種高速硅光敏三極管,其特征在于:所說的光敏三極管的受光面包括暴露于受光面的集電區和基區,所說的基區為網格狀,所說的暴露于受光面的集電區位于被基區包圍的網眼部分;所說的光敏三極管的集電區不僅包括通常的位于基區下部的集電區,而且還包括與下部集電區相通的,多個位于被基區包圍的網眼部位的暴露于受光面的集電區。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





