[其他]水平結(jié)構(gòu)晶體管及其制作方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 85108008 | 申請(qǐng)日： | 1985-10-30 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1004594B | 公開(kāi)（公告）日： | 1989-06-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 戴維·B·斯伯特;詹姆斯·D·瓊拉瑞;愛(ài)爾頓·J·贊雷斯基 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 得克薩斯儀器公司 |
| 主分類號(hào)： | 分類號(hào)： | ||
| 代理公司： | 上海專利事務(wù)所 | 代理人： | 馮曉明 |
| 地址： | 美國(guó)得克薩斯州752*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 暫無(wú)信息 | 說(shuō)明書(shū)： | 暫無(wú)信息 |
| 摘要： | 在被諸如氧化物之類的絕緣體［２２］完全包圍的一個(gè)薄的外延島［２４，７０］中制成水平結(jié)構(gòu)晶體管［２０，６８］。該晶體管［２０，６８］具有從同一掩模擴(kuò)散到島［２４，７０］中的基極區(qū)［３４，８０］和發(fā)射極區(qū)［２６，８４］，從而使基極［３４，８０］的寬度是可控的并且相對(duì)于發(fā)射極［２６，８４］來(lái)說(shuō)保持不變。多晶硅基極接觸［３６，９６］位于島［２４，７０］的頂部之上并通過(guò)氧化層［９０］與發(fā)射極區(qū)［２６，８４］和集電極區(qū)［２８，８６］相隔離。此水平結(jié)構(gòu)晶體管很容易把互補(bǔ)的雙極型晶體管［２０，６８］和互補(bǔ)的ＩＧＦＥＴ器件制作在同一襯底上。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 水平 結(jié)構(gòu) 晶體管 及其 制作方法 | ||
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