[其他]含氟的P型摻雜微晶半導體合金無效

申請號：	85108047	申請日：	1985-11-02
公開（公告）號：	CN85108047B	公開（公告）日：	1988-09-07
發明（設計）人：	薩布亨杜·古哈;詹姆斯·庫爾曼;斯坦福·R·奧欣斯基	申請（專利權）人：	能源轉換裝置公司
主分類號：	H01L21/24	分類號：	H01L21/24;H01L31/06;H01L21/40
代理公司：	中國專利代理有限公司	代理人：	吳秉芬,李先春
地址：	美國密歇根州***	國省代碼：	暫無信息
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：	一種含有充份密集的晶體夾雜物的以顯著改善材料性能的、含氟摻硼P型硅基半導體微晶合金，以及該合金的制造方法。包含有至少一層暴露于入射光下的這種合金的單個電池或多層電池的光生伏打器件改善了填充因子和轉換效率。
搜索關鍵詞：	摻雜半導體合金
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【主權項】：

1.一個光生伏打結構，包括在光學上和電學上都是串聯關系的一層配置在另一層上面的許多層(16b′、18b′、20b′)非晶半導體材料，這許多層包括一個P型電導層(16b′)、一個本征型層(18b′)和一個n型層(20b′)，用以在所說的本征型層(18b′)中建立一個電場區，以收集在所說區域中由于吸收入射光而產生的電子—空穴對，其特征是，所說的P型層(16b′)是一個硅基的、含氟的、摻雜硼的微晶層，其激活能低于0.1電子伏特，電導率大于0.5歐姆-1厘米-1，禁帶寬度大于1.9電子伏特。

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