[其他]半導體器件無效

申請號：	85109419	申請日：	1985-12-27
公開（公告）號：	CN85109419B	公開（公告）日：	1988-06-08
發明（設計）人：	竹村百子;稻葉道彥;鐵矢俊夫;小林三男	申請（專利權）人：	株式會社東芝
主分類號：	H01L21/58	分類號：	H01L21/58;H01L23/00
代理公司：	中國國際貿易促進委員會專利代理部	代理人：	趙越
地址：	日本神奈***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：	一種半導體器件，其芯片是用錫——銅合金焊料固定到引線架上的。其中第一層金屬層是插置于芯片和焊料中間的。形成的第一金屬層的厚度在2000A°到3μm的范圍之內，是由鈦、鉻、釩、鋯、鈮中選取的一種金屬，或至少包括一種上述金屬的一種合金構成的。由鎳、鈷或至少含有一種上述金屬的一種合金制備的第二金屬層插置在第一層金屬和焊料之間，其厚度小于第一金屬層。
搜索關鍵詞：	半導體器件
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【主權項】：

1、一種半導體器件，其半導體芯片是用含有錫和銅的合金制備的焊接材料固定到基座上的，一金屬層插置到上述焊接材料和上述半導體芯片之間，其特征在于：上述金屬層包括具有厚度范圍在2000到3um之間，它是由鈦、釩、鉻、鋯和鈮所組成的組中選取的一種金屬構成的第一金屬層或含有不低于75原子%的一種上述金屬的一種合金構成的第一金屬層。

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