[其他]CMOS型集成流量傳感器無效
| 申請號： | 85200263 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85200263U | 公開（公告）日： | 1986-01-01 |
| 發明（設計）人： | 童勤義 | 申請（專利權）人： | 南京工學院 |
| 主分類號： | H01L27/06 | 分類號： | H01L27/06 |
| 代理公司： | 南京工學院專利事務所 | 代理人： | 姚建南 |
| 地址： | 江蘇省南京*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本CMOS型集成流量傳感器屬于半導體集成電路領域。工業上經常需要流量計來測量氣體的流量。現有的一般采用熱絲裝置以及雙極型的半導體流量傳感器，因不能將信號處理電路做在同一芯片上，所以成本高，不利于生產。本傳感器為CMOS型集成流量傳感器，在同一芯片上可同時集成差分放大器和信號處理電路。功耗小，性能穩定，便于大量生產。 | ||
| 搜索關鍵詞： | cmos 集成 流量傳感器 | ||
【主權項】：
一種測量氣體流量的半導體傳感器，由差分放大器及信號處理電路組成，其特征在于將差分放大器與信號處理電路集成在同一塊芯片中，其中差分放大器采用NMOS管，信號處理電路采用CMOS管制成。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
