[其他]一種測(cè)汞裝置用的氣敏金膜元件的制作方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 86100646 | 申請(qǐng)日: | 1986-02-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN1004650B | 公開(公告)日: | 1989-06-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王維熙;郭稷垣;徐晶;張靜極;周劍峰;楊惠 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 甘肅有色金屬地質(zhì)研究所 |
| 主分類號(hào): | 分類號(hào): | ||
| 代理公司: | 中國(guó)有色金屬工業(yè)總公司專利事務(wù)所 | 代理人: | 賴日盛;吳風(fēng)英 |
| 地址: | 甘肅省蘭*** | 國(guó)省代碼: | 甘肅;62 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | 本發(fā)明屬于測(cè)汞裝置用的一種氣敏金膜元件的制作方法。本發(fā)明的方法是先在基片上真空鍍上一層鉻膜;再在鉻膜上真空鍍上一層金鉻合金膜;然后將基片的溫度控制在100-400℃;再在金鉻合金膜表面上真空鍍上一層金膜;再將鍍好三層鍍膜的基片封裝在容器內(nèi),在金膜與容器內(nèi)壁之間留有通道。用這種方法制作的氣敏金膜元件可使測(cè)汞裝置提高靈敏度,增加穩(wěn)定性。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 裝置 氣敏金膜 元件 制作方法 | ||
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