[其他]利用氟化氣體混合物進行硅的等離子體蝕刻無效
| 申請號： | 86103233 | 申請日： | 1986-05-09 |
| 公開（公告）號： | CN86103233A | 公開（公告）日： | 1987-02-18 |
| 發明（設計）人： | 曾志華 | 申請（專利權）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 巫肖南 |
| 地址： | 美國加利福尼亞州*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 利用氟化氣體混合物進行等離子體蝕刻硅的一個方法。在蝕刻室里，利用CHF3和SF6混合物形成等離子體對硅進行蝕刻。通過改變CHF3/SF6混合物中CHF3的百分比可以控制蝕刻的定向度。該方法對被蝕刻的硅表面無不利影響，從而不需要為補救硅表面而進行蝕刻后的熱處理步驟。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 利用 氟化 氣體 混合物 進行 等離子體 蝕刻 | ||
【主權項】：
1、用氣體混合物形成的等離子體蝕刻硅方法的一種改進，這種改進包括：由含有CHF3和SF6的二組份混合物形成等離子體，CHF3的含量大于SF6的含量，從而獲得了硅的定向蝕刻。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
