[其他]在半導(dǎo)體襯底材料接觸區(qū)制作電接觸的方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 86105085 | 申請(qǐng)日： | 1986-08-13 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN86105085A | 公開（公告）日： | 1987-03-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 洛薩爾·布洛斯費(fèi)爾德 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 德國(guó)ITT工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/18 | 分類號(hào)： | H01L21/18;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部 | 代理人： | 劉暉 |
| 地址： | 聯(lián)邦德國(guó)弗*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 在制造電接觸(1)時(shí)，使用了多晶硅電極層(4)，其邊緣搭在與襯底(3)連接的絕緣物上，至少搭在邊緣(52)的部分斜坡上。電極層(4)在腐蝕工藝中用做限定側(cè)向邊界的掩膜。于是，在電極層(4)的邊緣下面形成一個(gè)框架形薄層(5)，并露出與薄層(5)相鄰的襯底(3)的接觸區(qū)(2)。再淀積可以形成硅化物的金屬層，其厚度小于薄層(5)的厚度。當(dāng)加熱形成硅化物后，沒有與硅反應(yīng)的金屬，用選擇性溶解金屬腐蝕劑去除。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 襯底 材料 接觸 制作 方法 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1、一種在半導(dǎo)體材料襯底(3)的接觸區(qū)(2)上制造電接觸的方法，緊靠多晶硅電極層(4)，多晶硅在電極層(4)的接觸面(6)與襯底(3)相連接，電極層(4)的邊緣至少有一部分在與襯底(3)相連的絕緣的框架形薄層(5)之上，其特征在于：用電極層(4)做為腐蝕工藝的側(cè)面邊界，至少使框架形薄層(5)一部分絕緣和襯底(3)上與其相鄰的接觸區(qū)(2)露出來(lái)。隨后在片子露出的表面上淀積一層可以形成金屬硅化物的金屬層。其厚度小于上述薄層(5)的厚度。隨后適當(dāng)加熱片子，使金屬與其下面電極層(4)以及襯底(3)的硅生成金屬硅化物，而與絕緣物不起化學(xué)反應(yīng)。在加熱和冷卻之后，對(duì)沒有與硅起反應(yīng)的金屬，用選擇性的只溶解該金屬的腐蝕劑將其去掉。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
