[其他]整個半導體層無電氣缺陷的半導體器件及其制造方法無效
| 申請號： | 86106409 | 申請日： | 1986-11-06 |
| 公開（公告）號： | CN86106409A | 公開（公告）日： | 1987-05-20 |
| 發明（設計）人： | 山崎舜平;鈴木邦夫;金花美樹雄;深田武;阿部雅芳;小林一平;柴田克彥;薄田真一;永山進;小柳薰 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L31/04 | 分類號： | H01L31/04;H01L31/10;H01L31/18;H01L33/00;H01L25/02 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 日本神奈川*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 本發明介紹了一種沒有因針孔或其它縫隙等缺陷引起的漏泄電流的經過改進的半導體器件，還介紹了一種加工半導體器件的經過改良的方法。按照本發明，在制造半導體層過程中所產生的縫隙在用淀積法制造電極之前用絕緣體進行充填。借助這種結構，即使在半導體層上有透明電極，也不會形成短路電流路徑。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 整個 半導體 電氣 缺陷 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
【主權項】：
1、一種半導體器件，其特征在于，這種半導體器件包括：一層半導體層；該半導體層的電極，所說的電極是透明的；和一個防止半導體層中出現的縫隙形成短路路徑的絕緣體。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
