[其他]鐵硅鋁合金磁膜及其制造方法和迭層薄膜磁頭無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 86106790 | 申請日： | 1986-10-07 |
| 公開（公告）號： | CN86106790A | 公開（公告）日： | 1987-07-15 |
| 發(fā)明（設計）人： | 齋藤和宏;森泰一 | 申請（專利權(quán)）人： | 日本礦業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | H01F10/14 | 分類號： | H01F10/14;H01F41/22;G11B5/62 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 王以華 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發(fā)明涉及鐵硅鋁合金磁膜及其制造方法和迭層薄膜磁頭。所述磁膜有一基底和在其上形成的鐵硅鋁合金膜。所述基底的熱膨脹系數(shù)比上述鐵硅鋁合金膜的低。將上述合金膜的氬含量控制在0.01至0.3％重量比的范圍內(nèi)，以使膜中的內(nèi)應力基本為零。通過用DC濺射裝置向基底提供RF偏壓并控制組分的重量比來淀積上述磁膜。用本發(fā)明的磁膜制造的迭層薄膜磁頭具有矯頑力低、導磁率高的良好磁性能。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 鋁合金 及其 制造 方法 薄膜 磁頭 | ||
【主權(quán)項】：
1、一種鐵硅鋁合金磁膜，它是具有基片以及在基片上形成的鐵硅鋁合金膜的磁膜，其特征在于：上述基片的熱膨脹系數(shù)小于上述鐵硅鋁合金膜的熱膨脹系數(shù)，把膜中的含氬量控制在0.01～0.3%重量比的范圍內(nèi)，以便使上述鐵硅鋁合金膜內(nèi)的內(nèi)部應力實際上降到零。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于日本礦業(yè)株式會社，未經(jīng)日本礦業(yè)株式會社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://m.szxzyx.cn/patent/86106790/，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：多字體生成裝置
- 下一篇：把光掩膜定位在印刷線路板上的裝置
