[其他]高清晰陽極化的內層界面無效
| 申請號： | 86107669 | 申請日： | 1986-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN86107669A | 公開（公告）日： | 1987-07-15 |
| 發明（設計）人： | 埃爾頓·杰·佐倫斯基;大衛·彼·斯布萊特 | 申請（專利權）人： | 得克薩斯儀器公司 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306;H01L21/76 |
| 代理公司： | 上海專利事務所 | 代理人： | 曹磊 |
| 地址： | 美國得*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種半導體結構在半導體島區(54)和隔離內層(50)之間具有渡越厚度小于1500埃的高清晰度界面。為了生成這種結構，在復合外延層(54)和N+內層(50)上開槽(62)。內層(50)被在高壓和低溫條件下陽極化和氧化處理，以減少N+雜質的上擴散進入外延層(54)。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 清晰 陽極 內層 界面 | ||
【主權項】：
1、一種制造硅半導體結構的方法，包括下列各步驟；在基片上生成可進行選擇的可陽極氧化的材料層；在上述可進行陽極氧化層上生成一外延層；陽極氧化處理可陽極氧化層以生成多孔材料；通過將該結構處在高壓和低溫氧化處理環境下進行氧化處理上述的多孔材料，使上述的多孔層在雜質擴散進入外延層之前氧化處理。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
