[其他]III-V族化合物半導體元件之電極生成方法無效
| 申請號： | 86108717 | 申請日： | 1986-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN86108717A | 公開（公告）日： | 1987-07-22 |
| 發明（設計）人： | 辻井勝己;原田昌道 | 申請（專利權）人： | 夏普公司 |
| 主分類號： | H10L21/28 | 分類號： | H10L21/28 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 楊松堅 |
| 地址： | 日本大阪*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 本發明是關于在GaAs或GaAlAs等化合物半導體底板上所形成之以金為主體的含金膜，能在不損及該底板之情形下，借光刻法易于將其加工成所希望之圖形的電極形成方法。若依照本發明之方法，則在III-V族化合物半導體底板之電極形成面上預先形成鈦膜后，再形成一層以金為主體之合金層，然后，將該合金層腐蝕成預定之圖形，并設定能作電阻接觸之電極，然后將底板上除此電極部分以外之鈦膜除去。 | ||
| 搜索關鍵詞： | iii 化合物 半導體 元件 電極 生成 方法 | ||
【主權項】：
1、一種Ⅲ-V族化合物半導體元件之電極形成方法，其特征在于，在Ⅲ-V族化合物半導體底板之電極形成面上，預先形成鈦膜后，再形成以金為主體之合金層，并將該合金層腐蝕成所規定之圖形，設定能作電阻接觸之電極，其后將底板上除此電極部分以外之鈦膜加以去除。
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