[其他]在金屬制件上制備硅擴散涂層的方法無效
| 申請號: | 86108935 | 申請日: | 1986-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN86108935A | 公開(公告)日: | 1987-07-29 |
| 發明(設計)人: | 阿萊詹德羅·利奧波多·卡布雷拉;約翰·弗朗西斯·柯納;羅伯特·阿爾文·朱勒;羅納德·皮爾蘭托喬 | 申請(專利權)人: | 氣體產品與化學公司 |
| 主分類號: | C23C10/08 | 分類號: | C23C10/08 |
| 代理公司: | 中國專利代理有限公司 | 代理人: | 羅才希,盧新華 |
| 地址: | 美國賓夕*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | 在金屬制件上制備一種硅擴散涂層的方法,其步驟是把金屬制件暴露于還原性的氣氛中,接著在一種含硅烷為1ppm至100%(體積)其余為氫或氫和惰性氣體的混合物的氣氛中進行處理。用具有規定露點的氫氣作為表面預處理劑及對硅烷的稀釋劑。 | ||
| 搜索關鍵詞: | 金屬 制件 制備 擴散 涂層 方法 | ||
【主權項】:
1、在金屬表面上制備硅擴散涂層的方法,其步驟包括:a)對該金屬進行預處理,方法是在低于1200℃的溫度下及在一個對該金屬的元素組成為還原性的受控氣氛中,把金屬加熱,以便減少或完全防止在金屬的暴露表面上形成一層起隔離作用的涂層;以及b)把該金屬在這樣一些條件下進行處理,即使金屬制件維持在低于1000℃的溫度下并處于受控的氣氛中,使該氣氛含有至少1ppm(體積)的硅烷,其余為氫或氫與惰性氣體的混合物,并且這種氣氛中的硅烷/氧摩爾比大于2.5,而氧/氫摩爾比小于2×10-4,以此來使硅擴散進入金屬制作的表面內。
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C23 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學處理;金屬材料的擴散處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C10-00 金屬材料表面中僅滲入金屬元素或硅的固滲
C23C10-02 .被覆材料的預處理
C23C10-04 .局部表面上的擴散處理,例如使用掩蔽物
C23C10-06 .使用氣體的
C23C10-18 .使用液體,例如鹽浴、懸浮液的
C23C10-28 .使用固體,例如粉末、膏劑的
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C10-00 金屬材料表面中僅滲入金屬元素或硅的固滲
C23C10-02 .被覆材料的預處理
C23C10-04 .局部表面上的擴散處理,例如使用掩蔽物
C23C10-06 .使用氣體的
C23C10-18 .使用液體,例如鹽浴、懸浮液的
C23C10-28 .使用固體,例如粉末、膏劑的





