[其他]濕化學共沉淀氧化鋯(Mg-PSZ)的封接工藝無效
| 申請號： | 87100243 | 申請日： | 1987-03-24 |
| 公開（公告）號： | CN87100243B | 公開（公告）日： | 1988-08-10 |
| 發明（設計）人： | 溫廷璉;施鑫陶;李曉飛 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | C03C8/24 | 分類號： | C03C8/24;C04B37/00 |
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 聶淑儀,潘振蘇 |
| 地址： | 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | 濕化學共沉淀制備的氧化鋯(Mg-PSZ)的封接工藝，介紹了一種用固體電觸質陶瓷(Mg-PSZ)與玻璃、陶瓷及合金的封接，可分別采用煤氣一氧氣混合焰的普通燈工吹制及過火技術中溫封接及中、低溫范圍不同降溫速率的封接。本發明工藝簡單，封接件可達真空氣密或氦檢氣密的要求。特別是由于Mg-PSZ可與合金進行封接，拓寬了Mg-PSZ作為氧敏器件的技術應用范圍。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 化學 共沉淀 氧化鋯 mg psz 工藝 | ||
【主權項】：
1.一種用濕化學法共沉淀制備的氧化鋯(Mg-PSZ)的封接工藝，其特征在于：A、選用封接材料a.Mg-PSZ作主要封接材料；b.95-氧化鋯陶瓷、DM-308玻璃，4529鐵線鈷合金作可以封接的材料；B.封接方式直接封接，加封接劑DM-308玻璃的封接；C.工藝條件a.中溫950～1050℃保溫半小時b.普通燈二吹制及退火。
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