[其他]制造光電器件和其它半導(dǎo)體器件用的氫化非晶硅合金的沉積物原料和摻雜劑材料無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 87100729 | 申請(qǐng)日： | 1987-02-18 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN87100729A | 公開(kāi)（公告）日： | 1987-11-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 查理斯·羅伯特·迪克森 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 索拉里克斯公司 |
| 主分類號(hào)： | C23C16/00 | 分類號(hào)： | C23C16/00;C23C14/38;H01L31/00 |
| 代理公司： | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部 | 代理人： | 全菁,吳大建 |
| 地址： | 美國(guó)馬里蘭*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | 分子式為(MX3)nM′X4—n的化合物，M和M′是不同的4A族原子，M和M′中至少有一個(gè)是硅烷，X是氫、鹵素或它們的混合物，它在形成用于制造光電器件和電子敏感器件的氫化非晶硅合金時(shí)作為沉積物原料。摻雜劑的分子式為(SiX3)mLX3—m，L是一個(gè)5A族原子，選自磷、砷、銻和鉍組，X是氫、鹵素或它們的混合物，它們用于制造負(fù)摻雜氫化非晶硅合金。摻雜劑的分子式為YJX2，Y是鹵素或羰基，J是一個(gè)3A族原子，X是氫、鹵素或它們的混合物；它們用于形成正摻雜氫化非晶硅合金。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 制造 光電 器件 其它 半導(dǎo)體器件 氫化 非晶硅 合金 沉積物 原料 摻雜 材料 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1、使用具有下列分子式的一種或多種化合物的方法：(MX3)nM′4-n這里M和M′為不同的4A族原子，M和M′中至少有一個(gè)是硅，X是氫、囟素或它們的混合物，n是1和4之間的一個(gè)整數(shù)，包括1和4在內(nèi)；這種化合物作為制造氫化非晶硅合金的沉積物原料。
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C23 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆，例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上，例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆，例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上，例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
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