[其他]用在電子攝影術中的光接收元件無效
| 申請號： | 87101639 | 申請日： | 1987-03-03 |
| 公開（公告）號： | CN87101639A | 公開（公告）日： | 1987-11-25 |
| 發明（設計）人： | 白井茂;斉藤惠志;新井孝至;加藤富;藤岡靖 | 申請（專利權）人： | 佳能株式會社 |
| 主分類號： | G03G5/08 | 分類號： | G03G5/08;G03G5/04;G03G5/02 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 趙越 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 本發明提供一個改進的電子攝影術用光接收元件。它包括一層為電子攝影術用的基底和一光接收層，后者由含硅原子鍺原子的多晶材料形成的長波長光吸收層構成；一層由含硅原子作為主要原子成分的非晶材料形成的光電導層；及一層由含硅原子、碳原子和氫原子的非晶材料形成的表面層，表面層中氫原子含量為1×10-3至40原子百分比。光接收層可具有一層電荷注入阻擋層/一層接觸層。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 電子 攝影術 中的 接收 元件 | ||
【主權項】：
1、一個用于電子攝影術的光接收元件其特征在于包括：一個用于電子攝影術的基底和一層光接收層，該光接收層系由一種含有硅原子和鍺原子的非晶材料或多晶形材料形成的一層吸收長波長光的層(以下稱為“IR”層)構成：一層光電導層，它系由含有硅原子作為主要原子成分的一種非晶材料形成；以及一層表面層，它是由含有硅原子、碳原子和氫原子的一種非晶材料形成，在表面層中的氫原子含量為41～70原子百分比。
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