[其他]一種含硼銅基厚膜導體無效

申請號：	87101846	申請日：	1987-03-07
公開（公告）號：	CN87101846B	公開（公告）日：	1988-06-29
發明（設計）人：	譚富彬;趙玲	申請（專利權）人：	中國有色金屬工業總公司昆明貴金屬研究所
主分類號：	H01B1/02	分類號：	H01B1/02;H01L27/01;H05K3/10
代理公司：	云南省專利事務所	代理人：	何通培
地址：	云南省昆明***	國省代碼：	云南;53
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摘要：	一種含硼銅基厚膜導體，包括使優先氧化材料B、Al、Zn同Cu合金化，使所得合金與Si、Ai、Ca、Mg、Na、K、Co、Pb、Zn的氧化物混合，加入有機載體以形成漿料，將漿料漏印到陶瓷基片上，并在560～850℃溫度范圍內和大氣中燒成。所制得的厚膜導體具有良好的導電性、抗濕性和較低成本，最佳電阻率≤1.25×10-5Ω·cm，導體可用于微電路端接和多層布線。
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【主權項】：

1.一種含硼銅基厚膜導體，由金屬粉末和玻璃料的混合物組成，所說的金屬粉末和玻璃料在所說的混合物中的含量分別為85～97Wt·％和3～5Wt·％，所說的玻璃料的成分為(Wt·％)：SiO27.0～69.5，CaO0～6.0，BaO0～5.0。Al2O30.5～3.0，MgO0～3.0，Na2O0～15.0，K2O0～4.0，CO2O30～1.0，Pbo0～82.5，ZnO0～7.0，本發明的特征是，所說的金屬粉末是一種含硼的銅基合金粉末，其成分為(Wt·％)：B2～15，Al0.1～0.8，Zn0.1～1.2，Cu余量。

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