[其他]硅器體化學(xué)鍍鎳與化學(xué)腐蝕工藝無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 87102147 | 申請(qǐng)日： | 1987-03-17 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN87102147A | 公開（公告）日： | 1988-10-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 何敬文;劉斌;劉雅言;王中紀(jì) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春應(yīng)用化學(xué)研究所 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/28 | 分類號(hào)： | H01L21/28;H01L21/308;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科院長(zhǎng)春專利事務(wù)所 | 代理人： | 宋天平,曹桂珍 |
| 地址： | 吉林省長(zhǎng)*** | 國(guó)省代碼： | 吉林;22 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 硅器件化學(xué)鍍鎳與化學(xué)腐蝕工藝，本發(fā)明屬硅器件生產(chǎn)中在硅片表面實(shí)現(xiàn)無黑膠掩蔽選擇性化學(xué)鍍鎳與化學(xué)腐蝕技術(shù)。采用本發(fā)明的工藝，可一步實(shí)現(xiàn)太陽電池正面柵電池和背電池的制造，用在硅器件的選擇性鍍鎳與腐蝕工藝也可取代繁復(fù)而又有害的黑膠掩蔽工藝。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硅器體 化學(xué) 腐蝕 工藝 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1、一種硅器件化學(xué)鍍鎳與化學(xué)腐蝕工藝，本發(fā)明的特征是以光刻膠直接作為硅片表面掩蔽涂層，帶膠化學(xué)鍍鎳形成所需的接觸電極，采用涂敷光刻膠再?gòu)?fù)以膠帶紙的方法實(shí)現(xiàn)硅片掩蔽化學(xué)腐蝕，取代黑膠(BlackWax)掩蔽工藝。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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