[其他]固體象感器無效
| 申請號: | 87102365 | 申請日: | 1987-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN87102365A | 公開(公告)日: | 1987-11-11 |
| 發明(設計)人: | 山村道男 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/14 | 分類號: | H01L27/14 |
| 代理公司: | 中國專利代理有限公司 | 代理人: | 何耀煌,林長安 |
| 地址: | 日本東*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | 一種固體象感器,它包括一個半導體基片,該基片包含一個第一導電型的基質區,一個第二導電型的光接收區,一個電荷轉移段以及低雜質濃度區,一個形成在半導體基片上的正向電極以及一個電荷轉移控制電極。其中,正向電極被供以一個電壓,以便在介于電介質層和正向電極之間的邊界平面上形成電荷存儲層,而在光接收區一側的轉移控制電極的邊緣基本上重合于在面對電荷轉移段一側的光接收區的邊緣。 | ||
| 搜索關鍵詞: | 固體 象感器 | ||
【主權項】:
1、一種固體象感器包括:-一個半導體基片,它具有一個第一導電型的基質區、一個形成光接收段的第二導電型的光接收區、一個電荷轉移段以及一個配置于所述光接收區下面并與之接觸、在所述光接收區和基質區之間的低雜質濃度區;-一個正向電極,它被經過一層電介質層而形成在所述半導體基片上;以及-一個電荷轉移控制電極,它被形成在所述光接收段和所述電荷轉移段之間的所述電介質層上,其特征在于:其中所述正向電極被供有一個電壓,以便在介于所述電介質層和所述正向電極之間的邊界平面上形成電荷存儲層;以及在所述光接收區一側的所述轉移控制電極的一個邊緣與面臨所述電荷轉移段一側的所述光接收區的一個邊緣基本上重合。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





