[其他]消除半導體層制造缺陷的方法無效

申請?zhí)枺?/td>	87102718	申請日：	1987-04-08
公開（公告）號：	CN87102718B	公開（公告）日：	1988-08-31
發(fā)明（設計）人：	山崎舜平;鈴木邦夫;金花美樹雄;深田武;阿部雅芳;小林一平;柴田克彥;薄田真人;永山進;小柳薰	申請（專利權）人：	株式會社半導體能源研究所
主分類號：	H01L21/02	分類號：	H01L21/02;H01L31/18
代理公司：	中國專利代理有限公司	代理人：	肖春京,蕭掬昌
地址：	日本神奈***	國省代碼：	暫無信息
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：	本發(fā)明介紹了一種加工半導體器件的經過改良的方法。按照本發(fā)明，在制造半導體層過程中所產生的縫隙在用淀積法制造電極之前用絕緣體進行填充。借助這種結構。即使在半導體層上有透明電極，也不會形成短路電流路徑。
搜索關鍵詞：	消除半導體制造缺陷方法
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【主權項】：

1.一種治愈具有一正電極和一負電極的多個半導體元件中的缺陷的方法，其特征在于該方法包括下列步驟：制備多個串聯連接的穩(wěn)壓器件，所說半導體元件相應于不同的穩(wěn)壓器件；將各半導體元件與相應的穩(wěn)壓器件并聯；以及將一小于所說元件的最低擊穿電壓的電壓以所說元件起絕緣元件作用的方向施加在該聯串的所說穩(wěn)壓器件的兩端，以使電流只流過所說缺陷，產生足夠的熱量以燒去所說缺陷。

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