[其他]圓形硅杯的電化學腐蝕無效
| 申請號： | 87103891 | 申請日： | 1987-05-27 |
| 公開（公告）號： | CN87103891A | 公開（公告）日： | 1988-03-30 |
| 發明（設計）人： | 張聲良;劉恩科;周宗閩 | 申請（專利權）人： | 西安交通大學 |
| 主分類號： | C25F3/12 | 分類號： | C25F3/12 |
| 代理公司： | 西安交通大學專利事務所 | 代理人： | 徐文權 |
| 地址： | 陜西省西安市*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | 本發明公開一種電化學腐蝕工藝，用以腐蝕得半導體硅壓阻式壓力傳感器中的圓形硅杯(周邊固定支撐的硅彈性膜)。采用對人體毒害性較小的NH4F水溶液作電化學腐蝕液；待腐蝕的具n/n+結構的硅片的n+面上用極易生長的SiO2作選擇性腐蝕掩膜，再蓋上有足夠大內徑的下橡皮圈被壓在負極性的多孔銅電極和正極性的銅電極之間，腐蝕液不斷噴入負極性的多孔銅電極，直達待腐蝕硅片進行腐蝕。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 圓形 電化學 腐蝕 | ||
【主權項】：
1、一種半導體硅壓阻式壓力傳感器中園形硅杯的電化學腐蝕，采用含氟的腐蝕液[11]，在n+襯底上外延一層n型層，并在n+面上作好選擇性掩膜圖形的待腐蝕硅片[6]與腐蝕液[11]之間有不斷的相對運動，在外加電場作用下達到腐蝕n+的目的，其特征是腐蝕液[11]采用NH4F水溶液；用SiO2作選擇性腐蝕掩膜；待腐蝕硅片[6]的作好SiO2選擇性腐蝕掩膜的一面蓋上有足夠大內徑的下橡皮圈[5]后，被夾在接向直接電源[10]負極的多孔銅電極[7]和接向直流電源[10]正極的銅電極[8]之間；腐蝕液[11]不斷噴射入多孔銅電極[7]，直達待腐蝕硅片[6]進行腐蝕。
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