[其他]集成電路絕緣工藝方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 87104640 | 申請日： | 1987-07-03 |
| 公開（公告）號： | CN87104640A | 公開（公告）日： | 1988-01-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 理查德·A·恰普曼;克萊倫斯·鄧萬生 | 申請（專利權(quán)）人： | 得克薩斯儀器公司 |
| 主分類號： | H01L21/94 | 分類號： | H01L21/94;H01L21/314;H01L21/471 |
| 代理公司： | 上海專利事務(wù)所 | 代理人： | 馮曉明 |
| 地址： | 美國得*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種通過提供幾乎平滑的表面而避免由應(yīng)力引起的缺陷的多凹槽絕緣工藝。在硅基片10上形成圖案并蝕刻之，產(chǎn)生有源壕狀區(qū)18和凹槽(20a-b和21a-b)。使用LOCOS方法在寬凹槽區(qū)21內(nèi)生長場氧化物40，從而用氧化物將凹槽填上，并在窄凹槽區(qū)20內(nèi)沉積上平整的場氧化物44。當將結(jié)構(gòu)進行蝕刻得到一平整的表面后，使用標準步驟制備有源器件，該方法只使用一個光刻掩蔽步驟，使電有源區(qū)的寬度損失量極小。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 集成電路 絕緣 工藝 方法 | ||
【主權(quán)項】：
1、在由窄的和寬的凹槽分隔的半導(dǎo)體基片中絕緣區(qū)域的方法，它包括：僅只在寬的凹槽中生長第一場氧化物；在基體上沉積一第二場氧化物區(qū)，將窄凹槽和寬凹槽的任何剩下的未填滿部分填上。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
