[其他]氮化硅涂層坩堝無效
| 申請號： | 87206316 | 申請日： | 1987-04-16 |
| 公開（公告）號： | CN87206316U | 公開（公告）日： | 1987-12-30 |
| 發明（設計）人： | 杜光庭;周衛;侯悅 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | C30B15/10 | 分類號： | C30B15/10 |
| 代理公司： | 清華大學專利事務所 | 代理人： | 張志東 |
| 地址： | 北京市海*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 暫無信息 | 說明書： | 暫無信息 |
| 摘要： | 本實用新型是關于直拉單晶硅用的坩堝，其特點是在坩堝基體上涂敷了一層Si3N4涂層。涂層采用常壓化學氣相淀積法制備。坩堝基體材料既可是石英(SiO2)玻璃，也可是石墨。Si3N4具有優良的物理機械性能，并不與熔硅起反應，它把熔硅和石英隔開，避免了熔硅對石英坩堝內壁的侵蝕，達到降低單晶硅雜質含量的目的。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 氮化 涂層 坩堝 | ||
【主權項】：
1、一種直拉單晶硅用的坩堝，其特征在于在石英或石墨坩堝基體上涂敷了一層Si3N4。
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